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  • 描述: MOSFET, DUAL, N, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:10A; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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